부품 번호 | EPC8007ENGR |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 40V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.3nC @ 5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 39pF @ 20V |
Vgs (최대) | +6V, -5V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | - |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | Die |
패키지 / 케이스 | Die |
무게 | - |
원산지 | - |