EPC8009 - EPC

Numéro d'article	EPC8009
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	65V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.45nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	52pF @ 32.5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 500mA, 5V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	Die
Paquet / cas	Die
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
EPC-2325	EXSHINE	PCI/ISA Single Board Computer	Détails
EPC.00.250.NTN	LEMO	CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB	Détails
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