DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMG4800LK3-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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50000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2228/pcs
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DMG4800LK3-13 Description détaillée

Numéro d'article DMG4800LK3-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.71W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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