DMG4822SSD-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG4822SSD-13
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	478.9pF @ 16V
Puissance - Max	1.42W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG4800LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	Détails
DMG4800LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A TO252	Détails
DMG4800LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO	Détails
DMG4812SS	DIODES	DMG4812SS DIODES SOP-8 New Original Stocks	Détails
DMG4812SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	Détails
DMG4822SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO	Détails
DMG4822SSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8	Détails