DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13 - Diodes Incorporated

品番
DMG4800LK3-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
50000 pcs
参考価格
USD 0.2228/pcs
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DMG4800LK3-13 詳細な説明

品番 DMG4800LK3-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.6V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 8.7nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 798pF @ 10V
Vgs(最大) ±25V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.71W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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