DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMG4800LK3-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
50000 pcs
Precio de referencia
USD 0.2228/pcs
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DMG4800LK3-13 Descripción detallada

Número de pieza DMG4800LK3-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.71W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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