| Numéro d'article | BS250FTC |
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| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 45V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 90mA (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 330mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23-3 |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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BS2-IC | Parallax Inc. | BASIC STAMP II MODULE | Détails |
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BS208 | DIODES | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR | Détails |
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BS209 | GE | DMOS Transistors (P-Channel) | Détails |
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BS20P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 20POS NH | Détails |
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BS2100F-E2 | Rohm Semiconductor | IC DVR IGBT/MOSFET | Détails |
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BS2101F-E2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID | Détails |
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BS2103F-E2 | Rohm Semiconductor | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP | Détails |
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BS2130F-GE2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE | Détails |
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BS21P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM | Détails |
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BS22-C | Panduit Corp | CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP | Détails |
