| Número de pieza | BS250FTC |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 45V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 330mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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BS2-IC | Parallax Inc. | BASIC STAMP II MODULE | Detalles |
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BS208 | DIODES | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR | Detalles |
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BS209 | GE | DMOS Transistors (P-Channel) | Detalles |
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BS20P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 20POS NH | Detalles |
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BS2100F-E2 | Rohm Semiconductor | IC DVR IGBT/MOSFET | Detalles |
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BS2101F-E2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID | Detalles |
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BS2103F-E2 | Rohm Semiconductor | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP | Detalles |
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BS2130F-GE2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE | Detalles |
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BS21P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM | Detalles |
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BS22-C | Panduit Corp | CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP | Detalles |
