| Artikelnummer | BS250FTC |
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| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 45V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 90mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 330mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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BS2-IC | Parallax Inc. | BASIC STAMP II MODULE | Einzelheiten |
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BS208 | DIODES | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR | Einzelheiten |
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BS209 | GE | DMOS Transistors (P-Channel) | Einzelheiten |
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BS20P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 20POS NH | Einzelheiten |
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BS2100F-E2 | Rohm Semiconductor | IC DVR IGBT/MOSFET | Einzelheiten |
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BS2101F-E2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID | Einzelheiten |
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BS2103F-E2 | Rohm Semiconductor | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP | Einzelheiten |
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BS2130F-GE2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE | Einzelheiten |
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BS21P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM | Einzelheiten |
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BS22-C | Panduit Corp | CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP | Einzelheiten |
