| Numéro d'article | BAS521LP-7 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 325V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 400mA (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 100mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 150nA @ 250V |
| Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 2-UFDFN |
| Package de périphérique fournisseur | X1-DFN1006-2 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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BAS516 | NXP | BAS516 NXP SOD-52.. New Original Stocks | Détails |
.jpg "BAS516,115") |
BAS516,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Détails |
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BAS516,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Détails |
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BAS516,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Détails |
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BAS516,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | Détails |
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BAS516,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | Détails |
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BAS516-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | Détails |
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BAS516/B | NXP | BAS516/B NXP SOT-52.. New Original Stocks | Détails |
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BAS516/DG | NXP | BAS516/DG NXP SOD-52.. New Original Stocks | Détails |
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BAS52-02V | INFINEON | BAS52-02V INFINEON SOD523 New Original Stocks | Détails |
