| номер части | BAS521LP-7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 325V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 400mA (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 100mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 150nA @ 250V |
| Емкость @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 2-UFDFN |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1006-2 |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS516 | NXP | BAS516 NXP SOD-52.. New Original Stocks | подробности |
.jpg "BAS516,115") |
BAS516,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | подробности |
|
BAS516,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | подробности |
|
BAS516,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | подробности |
 |
BAS516,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | подробности |
|
BAS516,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | подробности |
 |
BAS516-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | подробности |
|
BAS516/B | NXP | BAS516/B NXP SOT-52.. New Original Stocks | подробности |
|
BAS516/DG | NXP | BAS516/DG NXP SOD-52.. New Original Stocks | подробности |
|
BAS52-02V | INFINEON | BAS52-02V INFINEON SOD523 New Original Stocks | подробности |
