| Numero di parte | BAS521LP-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 325V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 400mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150nA @ 250V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 2-UFDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | X1-DFN1006-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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BAS516 | NXP | BAS516 NXP SOD-52.. New Original Stocks | Dettagli |
.jpg "BAS516,115") |
BAS516,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Dettagli |
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BAS516,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Dettagli |
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BAS516,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Dettagli |
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BAS516,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | Dettagli |
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BAS516,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | Dettagli |
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BAS516-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | Dettagli |
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BAS516/B | NXP | BAS516/B NXP SOT-52.. New Original Stocks | Dettagli |
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BAS516/DG | NXP | BAS516/DG NXP SOD-52.. New Original Stocks | Dettagli |
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BAS52-02V | INFINEON | BAS52-02V INFINEON SOD523 New Original Stocks | Dettagli |
