| Numéro d'article | C3M0280090D |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 900V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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