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Accueil › Les fabricants › Global Power Technologies Group
global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.
Produits à semiconducteurs discrets
Image Numéro d'article La description Vue
GP2M023A050N GP2M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN Détails
GP2M020A050F GP2M020A050F MOSFET N-CH 500V 18A TO220F Détails
GP2M005A050HG GP2M005A050HG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 Détails
GP2M005A050FG GP2M005A050FG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F Détails
GP2D010A120B GP2D010A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2 Détails
GP2D008A120C GP2D008A120C SCHOTTKY DIODE 1200V 8A TO-252-2 Détails
GP2D005A120A GP2D005A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2 Détails
GP2M004A060PG GP2M004A060PG MOSFET N-CH 600V 4A IPAK Détails
GP2D005A120C GP2D005A120C DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2 Détails
GP2D012A060D GP2D012A060D DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2 Détails
GHIS100A120S2B1 GHIS100A120S2B1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Détails
GCMS012A120S1-E1 GCMS012A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Détails
GHIS020A060B1P2 GHIS020A060B1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Détails
GHIS100A120T2C1 GHIS100A120T2C1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Détails
GCMS008A120B1B1 GCMS008A120B1B1 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL Détails
GHIS100A120S1-E1 GHIS100A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S Détails
GHIS050A120T1P2 GHIS050A120T1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Détails
GSID150A120S3B1 GSID150A120S3B1 SILICON IGBT MODULES Détails
GHIS030A120S-A1 GHIS030A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227 Détails
GHIS040A120S-A1 GHIS040A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227 Détails
  1. First
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  12. End