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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Modules de circuit d'attaque de puissance › GHIS100A120S2B1
GHIS100A120S2B1

GHIS100A120S2B1 - Global Power Technologies Group

Numéro d'article
GHIS100A120S2B1
Fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GHIS100A120S2B1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GHIS100A120S2B1.pdf
Catégorie
Modules de circuit d'attaque de puissance
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
174 pcs
Prix ​​de référence
USD 155.7517/pcs
Notre prix
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GHIS100A120S2B1 Description détaillée

Numéro d'article GHIS100A120S2B1
État de la pièce Active
Type IGBT
Configuration Half Bridge
Actuel 200A
Tension 1200V
Voltage - Isolation 2500Vrms
Paquet / cas Power Module
Poids -
Pays d'origine -

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