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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Modules de circuit d'attaque de puissance › GCMS008A120B1B1
GCMS008A120B1B1

GCMS008A120B1B1 - Global Power Technologies Group

Numéro d'article
GCMS008A120B1B1
Fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GCMS008A120B1B1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GCMS008A120B1B1.pdf
Catégorie
Modules de circuit d'attaque de puissance
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
36 pcs
Prix ​​de référence
USD 698.95/pcs
Notre prix
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GCMS008A120B1B1 Description détaillée

Numéro d'article GCMS008A120B1B1
État de la pièce Active
Type MOSFET
Configuration Half Bridge
Actuel 300A
Tension 1200V
Voltage - Isolation 2500Vrms
Paquet / cas Power Module
Poids -
Pays d'origine -

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