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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - RF › MT3S113TU,LF
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
MT3S113TU,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
MT3S113TU,LF Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
642662 pcs
Precio de referencia
USD 0.2562/pcs
Nuestro precio
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MT3S113TU,LF Descripción detallada

Número de pieza MT3S113TU,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 5.3V
Frecuencia - Transición 11.2GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Ganancia 12.5dB
Potencia - Max 900mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 3-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor UFM
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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