MT3S111P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: MT3S111P(TE12L,F)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Precio de referencia: USD 0.3825/pcs
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Número de pieza	MT3S111P(TE12L,F)
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	6V
Frecuencia - Transición	8GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
Ganancia	10.5dB
Potencia - Max	1W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor	PW-MINI
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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