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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › MT3S111P(TE12L,F)
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
MT3S111P(TE12L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
430457 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3825/pcs
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MT3S111P(TE12L,F) Description détaillée

Numéro d'article MT3S111P(TE12L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 6V
Fréquence - Transition 8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1GHz
Gain 10.5dB
Puissance - Max 1W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-243AA
Package de périphérique fournisseur PW-MINI
Poids -
Pays d'origine -

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