MT3S111P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	MT3S111P(TE12L,F)
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	6V
Частота - переход	8GHz
Шум (дБ Тип @ f)	1.25dB @ 1GHz
Усиление	10.5dB
Мощность - макс.	1W
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-243AA
Пакет устройств поставщика	PW-MINI
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT3S111(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI	подробности
MT3S111P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI	подробности
MT3S113(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI	подробности
MT3S113P	TOSHIBA	MT3S113P TOSHIBA SOT-89 New Original Stocks	подробности
MT3S113P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI	подробности
MT3S113TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM	подробности