MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
MT3S113(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MT3S113(TE85L,F) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
588035 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.28/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) Description détaillée

Numéro d'article MT3S113(TE85L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 5.3V
Fréquence - Transition 12.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Gain 11.8dB
Puissance - Max 800mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur S-Mini
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR MT3S113(TE85L,F)