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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › MT3S113(TE85L,F)
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
MT3S113(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT3S113(TE85L,F) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
588035 pcs
Referenzpreis
USD 0.28/pcs
Unser Preis
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MT3S113(TE85L,F) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT3S113(TE85L,F)
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 5.3V
Frequenz - Übergang 12.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Gewinnen 11.8dB
Leistung max 800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini
Gewicht -
Ursprungsland -

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