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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › MT3S113P(TE12L,F)
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
MT3S113P(TE12L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT3S113P(TE12L,F) PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
389242 pcs
Referenzpreis
USD 0.423/pcs
Unser Preis
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MT3S113P(TE12L,F) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT3S113P(TE12L,F)
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 5.3V
Frequenz - Übergang 7.7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Gewinnen 10.5dB
Leistung max 1.6W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket PW-MINI
Gewicht -
Ursprungsland -

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