| Artikelnummer | MT3S111(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 11.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Gewinnen | 12dB |
| Leistung max | 700mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | S-Mini |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI | Einzelheiten |
 |
MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI | Einzelheiten |
|
MT3S113(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI | Einzelheiten |
 |
MT3S113P | TOSHIBA | MT3S113P TOSHIBA SOT-89 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
MT3S113P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI | Einzelheiten |
 |
MT3S113TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM | Einzelheiten |
