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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › MT3S113TU,LF
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
MT3S113TU,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
MT3S113TU,LF PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
642662 pcs
참고 가격
USD 0.2562/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF 상세 설명

부품 번호 MT3S113TU,LF
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 5.3V
빈도 - 전환 11.2GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
이득 12.5dB
전력 - 최대 900mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지 UFM
무게 -
원산지 -

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