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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF › MT3S113TU,LF
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
MT3S113TU,LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MT3S113TU,LF PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
642662 pcs
参考価格
USD 0.2562/pcs
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MT3S113TU,LF 詳細な説明

品番 MT3S113TU,LF
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 5.3V
周波数 - 遷移 11.2GHz
ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） 1.45dB @ 1GHz
利得 12.5dB
電力 - 最大 900mW
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 200 @ 30mA, 5V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 3-SMD, Flat Leads
サプライヤデバイスパッケージ UFM
重量 -
原産国 -

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