MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
MT3S113TU,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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642662 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2562/pcs
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MT3S113TU,LF Descrizione dettagliata

Numero di parte MT3S113TU,LF
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5.3V
Frequenza - Transizione 11.2GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Guadagno 12.5dB
Potenza - Max 900mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore UFM
Peso -
Paese d'origine -

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