IXTM35N30 - IXYS

Número de pieza	IXTM35N30
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-204AE
Paquete / caja	TO-204AE
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXT-1-1N100S1	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Detalles
IXT-1-1N100S1-TR	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Detalles
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Detalles
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Detalles
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Detalles
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Detalles
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Detalles
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IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	Detalles
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Detalles