IXTM11N80

IXTM11N80 - IXYS

Número de pieza
IXTM11N80
Fabricante
IXYS
Breve descripción
POWER MOSFET TO-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
16757 pcs
Precio de referencia
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IXTM11N80 Descripción detallada

Número de pieza IXTM11N80
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-204AA
Paquete / caja TO-204AA, TO-3
Peso -
País de origen -

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