IXTH10P60

IXTH10P60 - IXYS

Número de pieza
IXTH10P60
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXTH10P60 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IXTH10P60.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
365 pcs
Precio de referencia
USD 9.9/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para IXTH10P60

IXTH10P60 Descripción detallada

Número de pieza IXTH10P60
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IXTH10P60