IXTA8N50P

IXTA8N50P - IXYS

Número de pieza
IXTA8N50P
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2700 pcs
Precio de referencia
USD 2.66/pcs
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IXTA8N50P Descripción detallada

Número de pieza IXTA8N50P
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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