IXTA80N10T

IXTA80N10T - IXYS

Número de pieza
IXTA80N10T
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
925 pcs
Precio de referencia
USD 3.17/pcs
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IXTA80N10T Descripción detallada

Número de pieza IXTA80N10T
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3040pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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