| Número de pieza | IRF5305SPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Detalles |
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IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Detalles |
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IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Detalles |
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IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Detalles |
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IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Detalles |
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IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
