| номер части | IRF5305SPBF |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 55V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | подробности |
|
IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | подробности |
 |
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | подробности |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | подробности |
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | подробности |
|
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
