IRF5305SPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article	IRF5305SPBF
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.8W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IRF500	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Détails
IRF500C10RJ	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Détails
IRF510	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB	Détails
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IRF510PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB	Détails
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