IRF510PBF - Vishay Siliconix

Número de pieza	IRF510PBF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 3.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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