GA50JT17-247 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza	GA50JT17-247
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	583W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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