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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › GA50JT12-263
GA50JT12-263

GA50JT12-263 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
GA50JT12-263
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
GA50JT12-263 Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
285 pcs
Precio de referencia
USD 91.4554/pcs
Nuestro precio
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GA50JT12-263 Descripción detallada

Número de pieza GA50JT12-263
Estado de la pieza Active
Tipo de FET -
Tecnología -
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) -
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje -
Paquete de dispositivo del proveedor -
Paquete / caja -
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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