GA50JT12-263 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GA50JT12-263
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	-
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	-
Package de périphérique fournisseur	-
Paquet / cas	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GA50JT06-258	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 600V 100A	Détails
GA50JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1.2KV 50A	Détails
GA50JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7	Détails
GA50JT17-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1.7KV 100A	Détails
GA50K6A1A	TE Connectivity Measurement Specialties	NTC THERMISTOR 50K OHM 0.1C BEAD	Détails
GA50SICP12-227	GeneSiC Semiconductor	SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV	Détails
GA50TS120K	EXSHINE	Short Circuit Rated Ultra-FastTM Speed IGBT	Détails
GA50TS120L	IR	GA50TS120L IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
GA50TS120U	IR	GA50TS120U IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails