GA50JT17-247 Description détaillée
Numéro d'article |
GA50JT17-247 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
- |
La technologie |
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
1700V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
100A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
- |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (Max) |
- |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
583W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
25 mOhm @ 50A |
Température de fonctionnement |
175°C (TJ) |
Type de montage |
Through Hole |
Package de périphérique fournisseur |
TO-247 |
Paquet / cas |
TO-247-3 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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