GA50JT17-247 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GA50JT17-247
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	-
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1700V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	583W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GA50JT06-258	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 600V 100A	подробности
GA50JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1.2KV 50A	подробности
GA50JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7	подробности
GA50JT17-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1.7KV 100A	подробности
GA50K6A1A	TE Connectivity Measurement Specialties	NTC THERMISTOR 50K OHM 0.1C BEAD	подробности
GA50SICP12-227	GeneSiC Semiconductor	SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV	подробности
GA50TS120K	EXSHINE	Short Circuit Rated Ultra-FastTM Speed IGBT	подробности
GA50TS120L	IR	GA50TS120L IR SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
GA50TS120U	IR	GA50TS120U IR SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности