GA50JT12-247 Descripción detallada
Número de pieza |
GA50JT12-247 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
- |
Tecnología |
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
100A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
- |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
7209pF @ 800V |
Vgs (Max) |
- |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
583W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
25 mOhm @ 50A |
Temperatura de funcionamiento |
175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-247AB |
Paquete / caja |
TO-247-3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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