GA50JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GA50JT12-247
Teilstatus	Active
FET Typ	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7209pF @ 800V
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	583W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AB
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GA50JT06-258	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 600V 100A	Einzelheiten
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GA50JT17-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1.7KV 100A	Einzelheiten
GA50K6A1A	TE Connectivity Measurement Specialties	NTC THERMISTOR 50K OHM 0.1C BEAD	Einzelheiten
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GA50TS120K	EXSHINE	Short Circuit Rated Ultra-FastTM Speed IGBT	Einzelheiten
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