GA100JT17-227

GA100JT17-227 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
GA100JT17-227
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
82 pcs
Precio de referencia
USD 309.08/pcs
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GA100JT17-227 Descripción detallada

Número de pieza GA100JT17-227
Estado de la pieza Active
Tipo de FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 160A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 800V
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 100A
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227
Paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
País de origen -

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