GA100JT12-227 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza: GA100JT12-227
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Breve descripción: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 200 pcs
Precio de referencia: USD 201.07/pcs
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Número de pieza	GA100JT12-227
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	160A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 800V
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 100A
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
País de origen	-

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