GA100JT12-227

GA100JT12-227 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
GA100JT12-227
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
200 pcs
Referenzpreis
USD 201.07/pcs
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GA100JT12-227 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GA100JT12-227
Teilstatus Active
FET Typ -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 160A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 800V
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 535W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 100A
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht -
Ursprungsland -

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