номер части | GA100JT17-227 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | - |
Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 1700V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 160A |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | - |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 14400pF @ 800V |
Vgs (Макс.) | - |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 535W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Chassis Mount |
Пакет устройств поставщика | SOT-227 |
Упаковка / чехол | SOT-227-4, miniBLOC |
Вес | - |
Страна происхождения | - |