| Numero di parte | GA100JT17-227 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 800V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 535W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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