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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › VS-GB90SA120U
VS-GB90SA120U

VS-GB90SA120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB90SA120U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-GB90SA120U PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15 pcs
Referenzpreis
USD 77.37/pcs
Unser Preis
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VS-GB90SA120U detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB90SA120U
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 149A
Leistung max 862W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4
Lieferantengerätepaket SOT-227
Gewicht -
Ursprungsland -

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