VS-GB100TP120N

VS-GB100TP120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB100TP120N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
299 pcs
Referenzpreis
USD 87.7954/pcs
Unser Preis
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VS-GB100TP120N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB100TP120N
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Leistung max 650W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-Pak
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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